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AMD MI350X搭载HBM3E内存,大模型推理性能超越英伟达B200,提升30%效率,奥特曼助力AI芯片新纪元
(由多段落组成) AMD 在人工智能领域再下一城,最新推出的 MI350X 和 MI355X 两款 GPU 引发广泛关注。据官方介绍,这两款芯片在大模型推理性能上比英伟达的 B200 快了整整 30%,并得到了 OpenAI 创始人奥特曼的亲自站台支持。此次发布标志着 AMD 正式向英伟达发起挑战。 MI350 系列采用了先进的 3nm 工艺,包含高达 1850 亿个晶体管,并配备了最新的 HBM3E 内存技术。与前代产品 MI300X 相比,MI350 系列的算力提升了 4 倍,推理速度更是快了 35 倍。此外,其内存容量达到了英伟达 B200 的 1.6 倍,训练和推理速度也实现...
AMD MI350本周发布:搭载HBM3E与CDNA 4架构的AI加速器推理能力暴增35倍直指NVIDIA命门
整理后的 #(由多段落组成) 6月11日,快科技报道,在ISC25大会期间,AMD首席技术官Mark Papermaster分享了下一代Instinct MI350 AI产品系列的最新进展。据悉,这款全新的AI加速器预计将在本周四正式发布。根据官方透露的信息,MI350系列的推理性能将提升至前代产品的35倍,并且还将引入更多创新功能。 尽管AMD尚未公布MI350 AI加速器的具体规格,但据推测,该系列产品将基于先进的3nm工艺制造,并配备高达288GB的HBM3E内存。这一配置使得MI350成为与NVIDIA Blackwell系列竞争的强大对手。此外,AMD计划将MI350定位在Blac...
三星电子澄清HBM3E芯片未通过英伟达AI处理器的质量测试
近期有传言指出,三星电子的最新一代HBM3E高频宽内存芯片已成功通过英伟达(Nvidia)的质量检测,并有望应用于其人工智能处理器之中。对此,三星电子方面回应称,关于客户的特定报道无法予以确认,同时强调先前的信息依然准确——即目前正在进行的质量测试阶段并未出现任何变动。 据部分媒体报道,基于未具名的消息来源透露,三星与英伟达之间正接近达成一项供应协议,计划从今年第四季度起开始供应8层HBM3E芯片。然而,这些消息同样提到,对于更先进的12层HBM3E版本,三星电子仍在持续进行测试中。 回顾7月31日,三星在公布...
AMD:四季度推出MI325X AI芯片 比英伟达H200快30%
在近期的COMPUTEX台北国际电脑展上,AMD首席执行官苏姿丰宣布了一款创新的AI处理器——MI325X。这款新芯片延续了AMD MI300系列的成功轨迹,配备了革新性的HBM3E高带宽内存技术和CDNA3架构,以确保强大的性能输出。MI325X拥有288GB的HBM3E内存,带宽高达每秒6TB,远超竞争对手,例如在内存容量和带宽上领先英伟达H200约一倍,运算速度也快30%。此外,该芯片在性价比方面表现出色,预计将于今年第四季度上市。 AMD还透露了未来规划,计划在2025年推出采用3nm工艺的MI350系列芯片,基于新的架构设计,内存容量同样为288GB HBM3E...